本页显示了晶圆生产的所有检测解决方案

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我们的晶圆生产解决方案的总体优势


  • 提高晶圆制造设备的正常运行时间,提高生产率
  • 在零停机的情况下实现好的晶圆质量
  • 通过优化资源利用率提高产量和盈利能力

晶圆片生产简介

ISRA可以提高产量,同时确保较高的质量和工艺可靠性,即使在正在进行的晶圆生产中也是如此。

我们的在线光学检测系统可以可靠地检测大块晶圆材料表面、边缘和内部的缺陷,从而显著提高您的生产能力。通过在有缺陷的材料进入生产过程的下一阶段之前将其清除,节省成本。

研磨后/抛光前检查

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CMP(化学机械抛光)消除了微峰和谷。然而,在抛光或其他下游工艺过程中,大块晶片材料或晶片边缘的微裂纹可能导致晶片断裂,从而导致高成本。有缺陷的晶片必须及时拒收,以避免昂贵的清洁和延长机器停机时间。

优势

增加了设备正常运行时间:微裂纹检测最大限度地减少了抛光过程中的晶圆破损

效率:以高达180片/小时的线速度同时扫描块体和表面

灵活性:与现有工艺线无缝集成

 

特征、典型缺陷和技术参数

特征

  • 裂纹宽度小于5µm的缺陷检测

  • 晶圆图像/2D协作图像

  • 从三个角度检查晶圆边缘

  • 扫描速度:最高130°/秒

  • 可选缺口检查功能

典型缺陷

  • 碎屑

  • 微裂纹

  • 蚀刻残留物

  • 正面和背面有划痕

  • 晶格缺陷(双片层)

技术参数

  • 采用不同波长的LED线路照明的高分辨率线路扫描相机

  • 可以集成调试阈值和裂纹敏感,以灵敏地优化检测结果

  • 典型的分辨率:20μm,可选低至1.5μm

  • 边缘检测的光学设置:2×45°棱镜和获取的3面图像的直接侧视图

  • 半导体标准接口

案例研究- CrackScan/EdgeScan扫描

了解如何避免半导体生产中不必要的停机时间。
 

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最终质量检测和后道检测

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即使在高检测速度下,也能通过在线检测提高生产产量。使用获得专利的MultiView技术,我们的系统可以可靠地识别和分类宏观缺陷,处理划痕或蚀刻残留物。这有利的允许在早期阶段将有缺陷的晶片从工艺中移除。

优势

通过高精度表面检测节省资源并提高产量

在加工过程中以较高的质量提高客户满意度

通过SEMI硬件和软件接口轻松集成到现有的EFEM或分拣工具中

晶片边缘检查与其他工艺步骤并行-对现有循环时间没有影响

特征、典型缺陷和技术参数

特征

  • 晶圆表面和晶圆边缘的缺陷检测

  • 背面检查(非功能侧)

  • 砷化镓(GaAs)正面检查(放宽要求)

  • 自动缺陷分类

  • 可选缺口检查功能

典型缺陷

  • 正面和背面有划痕

  • 正面蚀刻坑(“圆形”抛光)

  • 蚀刻缺陷,尤其是背面的缺陷

  • 蚀刻残留物

  • 边缘碎屑

技术参数

  • 高分辨率线扫描相机

  • 最高吞吐量50-100 wph(应用深度决定)

  • 具有自适应波长和分辨率的多视图技术

  • 典型的像素分辨率: 3微米/像素(μm/px)

  • 半导体标准接口

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裸片和蓝宝石晶片的形状控制和缺陷检测

Wafer

晶圆的平面度对于完美组装至关重要。挠度测量是一种有效的解决方案,可在一次测量中可靠地检测高度偏差和缺陷。

将测量数据与CAD数据进行比较,并在几秒钟内评估差异。该系统快速有效地确定所制造的晶片是否在所需的尺寸公差内。这使得用户能够在优化流程和机器设置的同时最大限度地减少生产浪费。

优势

测量速度快,周期短

材料保护:表面测量,无机械运动

通过缺陷分类和可追溯性进行流程改进

高效的多部件测量:在一次扫描过程中测量多个晶圆

特征、典型缺陷和技术参数

特征
 
  • 在反射表面上精确测量高度,用于晶圆形状检查

  • 检测率高,斜率变化极低

  • 根据形状和表面缺陷进行评估

典型缺陷

  • 形状偏差

  • 波纹度

  • 划痕、夹杂物、斑点

技术参数
 
  • 测量原理:相位测量偏转法

  • 测量区域:300x200-600×400 mm²

  • 横向分辨率:~20-40µm

  • •精度高度图:10×10 cm²上+/-10μm

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客户服务和培训

Service

为了使您的生产系统高效且经得起未来的考验,我们高素质的服务团队在全球范围内为您提供力所能及的支持。我们全天候快速、可靠地为您的系统提供安装、维护和服务以及分析和优化。

请访问我们的服务中心,获得您的定制服务解决方案。

此外,在伊斯拉视像学院学习,我们的资深培训师让您的员工及时了解最新知识,让您的系统操作员、产品工程师和质量经理成为真正的检测专家。

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伊斯拉视像设备制造(上海)有限公司

董长生

半导体项目经理
上海
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Tony Dong